中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京设立面积达1000平方米的大型研发中心，为中国国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料的企业。中镓半导体以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托，引进国内外优秀的技术及管理团队，2010年获建博士后工作站，截至2012年有院士1人，教授级别人员共6人，博士13人，硕士7人，拥有先进的技术及管理优势。